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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MRF184S | MOTOROLA |
功能相似  |
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
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| MRF184 | MOTOROLA |
功能相似 |
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF6522-70R3 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor |
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| MRF6522-70R3 | FREESCALE |
获取价格 |
The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOS |
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| MRF6522--70R3 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6522-70R3_06 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor |
|
| MRF6522-70R3_08 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF652S | NJSEMI |
获取价格 |
"Bipolar Transistor |
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| MRF652S | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| MRF652S | MOTOROLA |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
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| MRF653 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF653 | NJSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transistor |
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