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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF6604HXV | MOTOROLA |
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Transistor |
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| MRF6P18190HR6 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P21190HR6 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P21190HR6_06 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P21190HR6_10 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor |
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| MRF6P23190H_08 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor |
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| MRF6P23190HR5 | NXP |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,68V V(BR)DSS,SOT-494AVAR |
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| MRF6P23190HR6 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P24190HR5 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,68V V(BR)DSS,SOT-494A |
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| MRF6P24190HR6 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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