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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF652S
MRF652S PDF预览

MRF652S

更新时间： 2024-02-09 19:08:18
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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MRF652S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.002 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：10
最高工作温度：200 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.025 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

MRF652S 数据手册

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by MRF652/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for 12.5 Vdc UHF large–signal, amplifier applications in industrial  
and commercial FM equipment operating to 512 MHz.  
•
Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics  
Output Power = 5.0 Watts  
5.0 W, 512 MHz  
Minimum Gain = 10 dB  
Efficiency = 65% (Typ)  
RF POWER  
TRANSISTORS  
NPN SILICON  
•
•
•
•
•
Typical Performance at 512 MHz, 12.5 V, 5.0 W Output = 6.0 dB  
Series Equivalent Large–Signal Characterization  
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Reliability  
Capable of 30:1 VSWR Load Mismatch at 15.5 V Supply Voltage  
Circuit board photomaster available upon request by contacting  
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
16  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
CASE 244–04, STYLE 1  
MRF652  
36  
4.0  
2.0  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
25  
143  
Watts  
mW/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 249–06, STYLE 1  
MRF652S  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
7.0  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 25 mAdc, I = 0)  
V
16  
36  
36  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 25 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 25 mAdc, I = 0)  
V
V
—
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, V = 0)  
I
1.0  
mAdc  
CES  
CE BE  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 200 mAdc, V  
C CE  
h
FE  
10  
—
150  
—
= 5.0 Vdc)  
(continued)  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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