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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 8.76 |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 2.4 A |
| 基于收集器的最大容量： | 25 pF | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最小功率增益 (Gp)： | 5.4 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF6603HXV | MOTOROLA |
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Transistor |
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| MRF6604HXV | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MRF6P18190HR6 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P21190HR6 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P21190HR6_06 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P21190HR6_10 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor |
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| MRF6P23190H_08 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor |
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| MRF6P23190HR5 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,68V V(BR)DSS,SOT-494AVAR |
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| MRF6P23190HR6 | FREESCALE |
获取价格 |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF6P24190HR5 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,68V V(BR)DSS,SOT-494A |
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