MRF652S

更新时间： 2024-02-15 16:54:20

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF652S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.002 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.025 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

MRF652S 数据手册

MRF652S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF652S is Designed for

UHF large signal, amplifier

Applications in FM equipment up to

512 MHz.

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

FEATURES:

• Common Emitter

• P_G= 10 dB at 5.0 W/512 MHz

• Omnigold™ Metalization System

ØB

MAXIMUM RATINGS

ØC

2.0 A

36 V

16 V

4.0 V

I_C

V_CBO

V_CER

V_EBO

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.055 / 26.80

.285 / 7.24

.006 / 0.15

.060 . 1.52

.130 / 3.30

25 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

200 °C/W

P_DISS

T_J

.275 / 6.99

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.118 / 3.00

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_E= 5.0 mA

4.0

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

_CE= 15 V

_CE= 5.0 V

1.0

---

I_C= 200 mA

P_OUT= 5.0 W

150

h_FE

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

f = 512 MHz

9.5

C_ob

P_G

V_CC= 12.5 V

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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