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Datasheet > MRF6522-60
MRF6522-60 PDF预览

MRF6522-60

更新时间： 2024-11-12 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
12页 153K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 360B-04, 3 PIN

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MRF6522-60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF6522-60 数据手册

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M OT O RO LA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF6522–60/D  
The RF MOSFET Line  
R
F
P
o
w
e
r
F
i
e
l
d
E
f
f
e
c
t
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
M
R
F
6
5
2
2
-
6
0
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET  
Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-  
cies up to 1.0 GHz and specified for the GSM 925 – 960 MHz band. The high  
gain and broadband performance of these devices makes them ideal for  
large–signal, common source amplifier applications in 28 volt base station  
equipment.  
960 MHz, 60 W  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
•
Specified Performance @ 960 MHz, 28 Volts  
Output Power — 60 Watts  
RF POWER MOSFET  
D
Power Gain — 12.5 dB (Min)  
Efficiency — 53% (Min)  
•
100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase  
Angles with 5:1 VSWR  
G
CASE 360B–04, STYLE 1  
S
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
±20  
7
Drain Current — Continuous  
I
D
Total Device Dissipation @ T > = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
118  
0.9  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.1  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 2  
Motorola, Inc. 2001
1234567...12

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与MRF6522-60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF6522-70 NJSEMI

获取价格

 		Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin NI-600
MRF6522-70 MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor
MRF6522-70 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor
MRF6522-70R3 MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor
MRF6522-70R3 FREESCALE

获取价格

 		The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOS
MRF6522--70R3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6522-70R3_06 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor
MRF6522-70R3_08 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF652S NJSEMI

获取价格

 		"Bipolar Transistor
MRF652S ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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