MRF646

更新时间： 2024-11-12 04:14:39

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ASI		晶体射频双极晶体管局域网
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1页	33K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF646 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	9 A
基于收集器的最大容量：	125 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	117 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF646 数据手册

MRF646

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500 6L FLG

The ASI MRF646 is designed for 12.5

UHF large signal applications up to

512 MHz.

2x ØN

FULL R

FEATURES:

• Internal Input Matching Network

• P_G= 4.8 dB at 45 W/470 MHz

• Omnigold™ Metalization System

• Common Emitter, 12.5 V operation

.725/18,42

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

MAXIMUM RATINGS

.150 / 3.43

.160 / 4.06

.045 / 1.14

9.0 A

36 V

I_C

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

16 V

.125 / 3.18

4.0 V

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

117 W @ T_C= 25°C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.5 °C/W

.120 / 3.05

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR

2 = BASE

3&4 = EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 20 mA

I_E= 5.0 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CES

4.0

_CE= 15 V

---

_CE= 5.0 V

_CB= 12.5 V

I_C= 4.0 A

150

125

h_FE

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

C_ob

4.8

5.4

P_G

V_CE= 12.5 V

P_OUT= 45 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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MRF646 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC3102	MITSUBISHI	功能相似	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
NTE367	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Amplifier PO = 45W @ 512MHz
SD1434	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS

与MRF646相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF648	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF650	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF650	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF652	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
MRF652	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 16V 2A 3-Pin NI-200Z
MRF6522-10R1	NXP	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN
MRF6522-10R1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN
MRF6522-60	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
MRF6522-60	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin Case 360B-04
MRF6522-70	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin NI-600

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