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MRF255

更新时间： 2024-11-19 22:45:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		射频
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8页	155K
描述
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET

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MRF255 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	36 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A
最大漏极电流 (ID)：	22 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	175 W	最小功率增益 (Gp)：	13 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF255 数据手册

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by MRF255/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode

55 W, 12.5 Vdc, 54 MHz

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies

to 54 MHz. The high gain, broadband performance and linear characterization of

this device makes it ideal for large–signal, common source amplifier applications

in 12.5 Volt mobile and base station equipment.

N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER FET

•

Guaranteed Performance at 54 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 55 Watts PEP

Power Gain — 13 dB Min

Two–Tone IMD — –25 dBc Max

Efficiency — 40% Min, Two–Tone Test

•

Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

Excellent Thermal Stability

All Gold Metal for Ultra Reliability

Aluminum Nitride Package Electrical Insulator

Circuit Board Photomaster Available by Ordering Document

MRF255PHT/D from Motorola Literature Distribution.

CASE 211–11, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage (R

Gate–Source Voltage

DSS

= 1.0 MΩ)

DGR

±20

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

175

1.0

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

1.0

°C/W

θJC

Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling

and packaging MOS devices should be observed.

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1995

MRF255

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF255PHT	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor
MRF260	ASI	获取价格	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR
MRF261	MOTOROLA	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MRF262	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB
MRF2628	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF264	ASI	获取价格	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR
MRF264	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB
MRF275	MOTOROLA	获取价格	150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET
MRF275	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET
MRF275G	TE	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND 100 . 500 MHz RF POWER FET

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