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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 基于收集器的最大容量： | 50 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 18 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 5.2 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF262 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB |
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| MRF2628 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF264 | ASI |
获取价格 |
SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR |
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| MRF264 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB |
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| MRF275 | MOTOROLA |
获取价格 |
150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET |
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| MRF275 | TE |
获取价格 |
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF275G | TE |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS BROADBAND 100 . 500 MHz RF POWER FET |
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| MRF275G | MOTOROLA |
获取价格 |
150 W, 28 V, 500 MHz N.CHANNEL MOS BROADBAND 100 - 500 MHz RF POWER FET |
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| MRF275G | MACOM |
获取价格 |
The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V |
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| MRF275L | TE |
获取价格 |
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET |
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