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MRF262

更新时间: 2024-11-20 20:10:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB

MRF262 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):2.5 A
基于收集器的最大容量:60 pF集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W最小功率增益 (Gp):6.3 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MRF262 数据手册

  

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