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MRF174

更新时间： 2024-02-13 05:53:45

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9页	178K
描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET

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MRF174 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF174 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF174/D

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode

Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages up to

200 MHz frequency range.

•

Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc

Output Power = 125 Watts

Minimum Gain = 9.0 dB

Efficiency = 50% (Min)

Excellent Thermal Stability, Ideally Suited For Class A

Operation

125 W, to 200 MHz

N–CHANNEL MOS

BROADBAND RF POWER

FET

•

Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation

Techniques

100% Tested For Load Mismatch At All Phase Angles

With 30:1 VSWR

Low Noise Figure — 3.0 dB Typ at 2.0 A, 150 MHz

CASE 211–11, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

DSS

DGR

= 1.0 MΩ)

Gate–Source Voltage

±40

Vdc

Adc

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.65

°C/W

θJC

Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 7

12 3 4 5 6 7...9

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