MRF175GV

更新时间： 2024-11-17 22:40:51

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

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MRF175GV 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	400 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最小功率增益 (Gp)：	12 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF175GV 数据手册

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by MRF175GU/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode

Designed for broadband commercial and military applications using push pull

circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband

performance of these devices makes possible solid state transmitters for FM

broadcast or TV channel frequency bands.

200/150 WATTS, 28 V, 500 MHz

N–CHANNEL MOS

BROADBAND

•

Guaranteed Performance

RF POWER FETs

MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix)

Output Power — 200 Watts

Power Gain — 14 dB Typ

Efficiency — 65% Typ

MRF175GU @ 28 V, 400 MHz (“U” Suffix)

Output Power — 150 Watts

Power Gain — 12 dB Typ

Efficiency — 55% Typ

•

100% Ruggedness Tested At Rated Output Power

Low Thermal Resistance

Low C

— 20 pF Typ @ V

= 28 V

rss

(FLANGE)

CASE 375–04, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

DSS

DGR

= 1.0 MΩ)

Gate–Source Voltage

±40

Vdc

Adc

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

400

2.27

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.44

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS (1)

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 50 mA)

—

Vdc

mAdc

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 28 V, V = 0)

2.5

1.0

DSS

GSS

DS GS

Gate–Source Leakage Current

(V = 20 V, V = 0)

µAdc

GS DS

(continued)

Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1995

MRF175GU MRF175GV

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRF175LU	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs
MRF175LU	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V
MRF175LV	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs
MRF175LV	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs
MRF176	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
MRF176GU	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
MRF176GU	TE	获取价格	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V
MRF176GU	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V
MRF176GV	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

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