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MRF175GV

更新时间： 2024-02-20 23:03:30
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 186K
描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

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MRF175GV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CASE 333-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.46
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-XDFM-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：270 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF175GV 数据手册

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by MRF175GU/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement–Mode  
Designed for broadband commercial and military applications using push pull  
circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband  
performance of these devices makes possible solid state transmitters for FM  
broadcast or TV channel frequency bands.  
200/150 WATTS, 28 V, 500 MHz  
N–CHANNEL MOS  
BROADBAND  
•
Guaranteed Performance  
RF POWER FETs  
MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix)  
Output Power — 200 Watts  
Power Gain — 14 dB Typ  
Efficiency — 65% Typ  
MRF175GU @ 28 V, 400 MHz (“U” Suffix)  
Output Power — 150 Watts  
Power Gain — 12 dB Typ  
Efficiency — 55% Typ  
D
•
•
•
100% Ruggedness Tested At Rated Output Power  
Low Thermal Resistance  
G
G
Low C  
— 20 pF Typ @ V  
= 28 V  
DS  
S
rss  
(FLANGE)  
CASE 375–04, STYLE 2  
D
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
V
DSS  
V
DGR  
65  
(R  
= 1.0 MΩ)  
GS  
Gate–Source Voltage  
V
±40  
Vdc  
Adc  
GS  
Drain Current — Continuous  
I
26  
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
400  
2.27  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.44  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS (1)  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(V = 0, I = 50 mA)  
V
65  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
mAdc  
(BR)DSS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 28 V, V = 0)  
D
I
2.5  
1.0  
DSS  
GSS  
DS GS  
Gate–Source Leakage Current  
(V = 20 V, V = 0)  
I
µAdc  
GS DS  
(continued)  
Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
12345678

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