生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F5 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.18 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压: | 65 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 26 A |
最大漏极电流 (ID): | 26 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F5 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF175GU1111 | TE |
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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs | |
MRF175GV | ASI |
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RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | |
MRF175GV | MOTOROLA |
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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs | |
MRF175GV | TE |
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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs | |
MRF175GV | MACOM |
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The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 28V | |
MRF175LU | MOTOROLA |
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N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs | |
MRF175LU | TE |
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N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs | |
MRF175LU | MACOM |
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The RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V | |
MRF175LV | MOTOROLA |
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N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs | |
MRF175LV | TE |
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N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs |