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MRF175GV

更新时间： 2024-11-19 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
MACOM /
页数 文件大小 规格书
17页 1043K
描述
The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 28V

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MRF175GV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CASE 375-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.46
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A最大漏极电流 (ID)：26 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：400 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF175GV 数据手册

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MRF175GU  
The RF MOSFET Line  
200/150W, 500MHz, 28V  
Rev. V1  
Designed for broadband commercial and military applications using push  
pull circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and  
broadband performance of these devices makes possible solid state  
transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.  
Product Image  
N–Channel enhancement mode  
Guaranteed performance  
MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (―V‖ Suffix)  
Output power — 200 W  
Power gain — 14 dB typ  
Efficiency — 65% typ`  
100% ruggedness tested at rated output power  
Low thermal resistance  
Low Crss — 20 pF typ @ VDS = 28 V  
CASE 375–04, STYLE 2  
1
M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.  
Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
For further information and support please visit:  
https://www.macom.com/support  
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