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MRF1535T1 PDF预览

MRF1535T1

更新时间： 2024-01-26 14:48:52
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
16页 257K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRF1535T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, TO-272, CASE 1264-09, 6 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-272AA
JESD-30 代码：R-PDFM-C6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：135 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF1535T1 数据手册

 浏览型号MRF1535T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF1535T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF1535T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MRF1535T1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MRF1535T1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MRF1535T1的Datasheet PDF文件第11页 
Table 5. Common Source Scattering Parameters (VDD = 12.5 Vdc)  
IDQ = 250 mA  
S
11  
S
11  
S
11  
S
21  
S
21  
S
21  
S
12  
S
12  
S
12  
S
22  
S
22  
S
22  
f
|S  
|
∠ φ  
|S  
|
∠ φ  
83  
72  
63  
57  
53  
49  
48  
44  
44  
44  
42  
41  
|S  
|
∠ φ  
−26  
−14  
−23  
−44  
−16  
−44  
36  
|S |  
22  
∠ φ  
MHz  
11  
21  
12  
50  
0.89  
0.90  
0.91  
0.92  
0.94  
0.95  
0.96  
0.96  
0.97  
0.97  
0.98  
0.98  
−173  
−175  
−175  
−175  
−176  
−176  
−176  
−176  
−176  
−176  
−176  
−177  
8.496  
3.936  
2.429  
1.627  
1.186  
0.888  
0.686  
0.568  
0.457  
0.394  
0.332  
0.286  
0.014  
0.014  
0.011  
0.010  
0.007  
0.005  
0.005  
0.005  
0.004  
0.003  
0.001  
0.013  
0.76  
0.79  
0.82  
0.86  
0.88  
0.91  
0.92  
0.94  
0.94  
0.95  
0.95  
0.94  
−170  
−170  
−170  
−170  
−170  
−171  
−170  
−171  
−172  
−171  
−173  
−173  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
450  
500  
550  
600  
−1  
49  
−51  
31  
99  
IDQ = 1.0 A  
f
|S  
11  
|
∠ φ  
|S  
21  
|
∠ φ  
83  
72  
63  
57  
53  
48  
48  
44  
44  
44  
41  
41  
|S  
12  
|
∠ φ  
−39  
−5  
7
|S |  
22  
∠ φ  
MHz  
50  
0.90  
0.90  
0.91  
0.92  
0.94  
0.95  
0.96  
0.96  
0.97  
0.97  
0.98  
0.98  
−173  
−175  
−175  
−175  
−176  
−176  
−176  
−176  
−176  
−176  
−176  
−177  
8.49  
3.92  
2.44  
1.62  
1.19  
0.89  
0.69  
0.57  
0.46  
0.39  
0.33  
0.28  
0.006  
0.009  
0.006  
0.008  
0.006  
0.008  
0.007  
0.004  
0.004  
0.003  
0.006  
0.009  
0.86  
0.86  
0.87  
0.88  
0.89  
0.89  
0.91  
0.93  
0.93  
0.94  
0.94  
0.93  
−176  
−176  
−176  
−175  
−174  
−174  
−174  
−173  
−173  
−173  
−174  
−173  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
450  
500  
550  
600  
21  
8
3
48  
41  
43  
57  
62  
96  
IDQ = 2.0 A  
f
|S  
|
∠ φ  
|S  
|
∠ φ  
88  
82  
78  
74  
71  
67  
67  
63  
62  
61  
58  
57  
|S  
|
∠ φ  
−72  
4
|S |  
22  
∠ φ  
MHz  
11  
21  
12  
50  
0.94  
0.94  
0.94  
0.94  
0.95  
0.95  
0.95  
0.96  
0.96  
0.96  
0.97  
0.97  
−176  
−178  
−178  
−178  
−178  
−178  
−178  
−178  
−178  
−177  
−177  
−178  
9.42  
4.56  
2.99  
2.14  
1.67  
1.32  
1.08  
0.93  
0.78  
0.68  
0.59  
0.51  
0.005  
0.005  
0.003  
0.005  
0.004  
0.007  
0.005  
0.003  
0.007  
0.004  
0.008  
0.009  
0.89  
0.89  
0.89  
0.90  
0.90  
0.91  
0.92  
0.93  
0.93  
0.94  
0.93  
0.92  
−177  
−177  
−177  
−176  
−175  
−175  
−174  
−173  
−173  
−173  
−175  
−174  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
450  
500  
550  
600  
7
17  
40  
35  
57  
50  
68  
99  
78  
92  
MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
8
1...567891011...16

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