Datasheet > MRF1570NT1

MRF1570NT1

更新时间： 2024-01-22 13:25:25

品牌	Logo	应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
18页	429K
描述
RF Power Field Effect Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF1570NT1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-272
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1366-05, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.05
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	40 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-272
JESD-30 代码：	R-PDFM-C8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	165 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF1570NT1 数据手册

Document Number: MRF1570N

Rev. 8, 9/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF1570NT1

MRF1570FNT1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies up to 470 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applica-

tions in 12.5 volt mobile FM equipment.

470 MHz, 70 W, 12.5 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

• Specified Performance @ 470 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 70 Watts

Power Gain — 10 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency — 50%

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 470 MHz, 2 dB Overdrive

Features

CASE 1366-04, STYLE 1

TO-272-8 WRAP

PLASTIC

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

MRF1570NT1

• Broadband-Full Power Across the Band: 135-175 MHz

400-470 MHz

• Broadband Demonstration Amplifier Information Available Upon Request

• 200_C Capable Plastic Package

CASE 1366A-02, STYLE 1

TO-272-8

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

• Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

PLASTIC

MRF1570FNT1

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

+0.5, +40

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

165

0.5

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

- 65 to +150

200

°C

stg

(1)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.29

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M2 (Minimum)

C2 (Minimum)

Machine Model

Charge Device Model

Table 4. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020

260

°C

1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access

the MTTF calculators by product.

MRF1570NT1 MRF1570FNT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...18

下载PDF

与MRF1570NT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF1570NT1_08	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF1570T1	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF158	MOTOROLA	TMOS BROADBAND RF POWER FET	获取价格
MRF158	TE	TMOS BROADBAND RF POWER FET	获取价格
MRF158	MACOM	The Broadband RF MOSFET Line 2W, 500MHz, 28V	获取价格
MRF158R	MOTOROLA	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF1570NT1

MRF1570NT1 技术参数

MRF1570NT1 数据手册

与MRF1570NT1相关器件

与MRF1570NT1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF1570NT1

MRF1570NT1 技术参数

MRF1570NT1 数据手册

与MRF1570NT1相关器件

与MRF1570NT1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？