MRF154

更新时间： 2024-02-25 05:43:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	165K
描述
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

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MRF154 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	125 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	S-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF154 数据手册

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by MRF154/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode MOSFET

Designed primarily for linear large–signal output stages in the 2.0–100 MHz

frequency range.

•

Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics

Output Power = 600 Watts

Power Gain = 17 dB (Typ)

600 W, 50 V, 80 MHz

N–CHANNEL

BROADBAND

Efficiency = 45% (Typ)

RF POWER MOSFET

CASE 368–03, STYLE 2

(HOG PAC)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

125

±40

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

DSS

DGO

Gate–Source Voltage

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1350

7.7

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.13

°C/W

θJC

Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 2

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF154

12 3 4 5 6 7 8

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