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MRF1535T1

更新时间： 2024-01-19 11:33:44

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
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16页	257K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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技术参数
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MRF1535T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, TO-272, CASE 1264-09, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-272AA
JESD-30 代码：	R-PDFM-C6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	135 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1535T1 数据手册

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MHz

135

155

175

Ω

MHz

450

470

500

520

Ω

5.0 + j0.9

3.0 + j1.0

1.7 + j0.2

1.3 + j0.1

0.8 − j1.4

0.9 − j1.4

1.0 − j1.4

0.9 − j1.4

1.0 − j0.8

1.1 − j0.6

1.1 − j0.5

= Complex conjugate of source

impedance.

= Complex conjugate of source

impedance.

* = Complex conjugate of the load

impedance at given output power,

* = Complex conjugate of the load

impedance at given output power,

voltage, frequency, and η > 50 %.

Note: Z * was chosen based on tradeoffs between gain, drain efficiency, and device stability.

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Figure 19. Series Equivalent Input and Output Impedance

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

1...4 5 678 9 10...16

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与MRF1535T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF154	MOTOROLA	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	获取价格
MRF154	TE	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	获取价格
MRF154	MACOM	Broadband RF Power MOSFET 600W, to 80MHz, 50V	获取价格
MRF1550FNT1	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MRF1550FT1	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF1550N	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格