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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | TMOS | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 8 W | 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF160 | MOTOROLA |
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MOSFET BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF160 | TE |
获取价格 |
MOSFET BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF160 | BEL |
获取价格 |
Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series |
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| MRF160 | ASI |
获取价格 |
POWE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MRF160 | MACOM |
获取价格 |
The RF MOSFET Line: Broadband Power FET 4W, to 500MHz, 28V |
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| MRF16006 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF16006 | TE |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF16030 | TE |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF16030 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF160AMMO | BEL |
获取价格 |
Electric Fuse, Fast Blow, 0.16A, 35A (IR), MICRO, |
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