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MRF157

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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MRF157 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	125 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-XDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1350 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF157 数据手册

MRF157

Linear RF Power MOSFET

600W, to 80MHz

Rev. V1

Product Image

Designed primarily for linear large signal output stages

to 80 MHz.



Specified 50 volts, 30 MHz characteristics

Output power = 600 watts

Power gain = 21 dB (typ.)

Efficiency = 45% (typ.)

M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.

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