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MRF1570FT1

更新时间： 2024-01-19 05:15:55

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF1570FT1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-272
包装说明：	PLASTIC, CASE 1366A-02, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	40 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-272	JESD-30 代码：	R-PDFM-F8
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF1570FT1 数据手册

Document Number: MRF1570T1

Rev. 6, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

Replaced by MRF1570NT1/FNT1. There are no form, fit or function changes with this

part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free

terminations.

MRF1570T1

MRF1570FT1

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies up to 470 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applica-

tions in 12.5 volt mobile FM equipment.

470 MHz, 70 W, 12.5 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

• Specified Performance @ 470 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 70 Watts

Power Gain — 10 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency — 50%

CASE 1366-04, STYLE 1

TO-272-8 WRAP

PLASTIC

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 470 MHz, 2 dB Overdrive

• Excellent Thermal Stability

MRF1570T1

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Broadband-Full Power Across the Band: 135-175 MHz

400-470 MHz

• Broadband Demonstration Amplifier Information Available Upon Request

• 200_C Capable Plastic Package

CASE 1366A-02, STYLE 1

TO-272-8

• Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

PLASTIC

MRF1570FT1

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

+0.5, +40

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

165

0.5

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

- 65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.75

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M2 (Minimum)

C2 (Minimum)

Machine Model

Charge Device Model

Table 4. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020

260

°C

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF1570T1 MRF1570FT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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