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MRF1570FNT1

更新时间： 2024-01-01 14:31:01

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF1570FNT1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, CASE 1366A-02, TO-272, 8 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	DRAIN
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	40 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	165 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1570FNT1 数据手册

Document Number: MRF1570N

Rev. 9, 6/2008

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF1570NT1

MRF1570FNT1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies up to 470 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applica-

tions in 12.5 volt mobile FM equipment.

470 MHz, 70 W, 12.5 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

• Specified Performance @ 470 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 70 Watts

Power Gain — 11.5 dB

Efficiency — 60%

RF POWER MOSFETs

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 470 MHz, 2 dB Overdrive

Features

CASE 1366-05, STYLE 1

TO-272-8 WRAP

PLASTIC

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

MRF1570NT1

• Broadband-Full Power Across the Band: 135-175 MHz

400-470 MHz

• Broadband Demonstration Amplifier Information Available Upon Request

• 200_C Capable Plastic Package

CASE 1366A-03, STYLE 1

TO-272-8

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

PLASTIC

MRF1570FNT1

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

+0.5, +40

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

165

0.5

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Table 2. Thermal Characteristics

- 65 to +150

200

°C

stg

(1)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.29

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M2 (Minimum)

C2 (Minimum)

Machine Model

Charge Device Model

Table 4. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020

260

°C

1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF

calculators by product.

MRF1570NT1 MRF1570FNT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...23

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