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MRF1535T1

更新时间: 2024-01-29 22:08:40
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
16页 257K
描述
RF Power Field Effect Transistor

MRF1535T1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:PLASTIC, TO-272, CASE 1264-09, 6 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
最大漏极电流 (ID):6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-272AA
JESD-30 代码:R-PDFM-C6元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):135 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MRF1535T1 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS, 450 520 MHz  
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Figure 13. Gain versus Output Power  
Figure 14. Drain Efficiency versus Output Power  
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Figure 15. Output Power versus Biasing Current  
Figure 16. Drain Efficiency versus Biasing Current  
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Figure 17. Output Power versus Supply Voltage  
Figure 18. Drain Efficiency versus Supply Voltage  
MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
6

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