MRF160

更新时间： 2025-08-19 10:47:31

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ASI		晶体射频场效应晶体管
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描述
POWE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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MRF160 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
子类别：	FET General Purpose Power	Base Number Matches：	1

MRF160 数据手册

MRF160

POWE FIELD EFFECT TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

DESCRIPTION:

The MRF160 is an Enhancement-

Mode N-Channel TMOS designed for

wideband large-signal amplifier and

oscillator applications to 500 MHz.

MAXIMUM RATINGS

0.5 mA

65 V

I_D

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

±40 V

8.0 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

13.2 °C/W

Style 3

T_STG

θ_JC

NONE

TYPICAL MAXIMUM

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

V_(BR)DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM

UNITS

I_D= 5.0 mA

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

I_D= 10 mA

I_D= 100 mA

V_DSS= 28 V

V_GS= 40 V

V_DS= 10 V

0.5

1.0

6.0

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

g_fs

µA

1.0

mmhos

3.0

C_iss

_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

f = 400 MHz

4.2

0.45

C_oss

C_rss

I_D= 100 mA

3.0

Z_S= 67.7+j = 14.1

Z_L= 14.5+j = 25.7

G_ps

V_DD= 28 V

P_out= 2.0 W

I_DQ= 100 mA f = 400 MHz

V_DD= 28 V

I_DQ= 100 mA

P_out= 2.0 W

NO DEGRADRADATION IN OUTPUT POWER

V_SWR= 30:1 at all phase angles f = 400 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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