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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 87.5 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF164W | MOTOROLA |
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RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| MRF166 | MOTOROLA |
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MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
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| MRF166C | MOTOROLA |
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MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
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| MRF166C | TE |
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MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
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| MRF166C | MACOM |
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The RF MOSFET Line 20W, 500MHz, 28V |
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| MRF166W | MOTOROLA |
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TMOS BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF166W | TE |
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TMOS BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF166W | MACOM |
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The RF MOSFET Line 40W, 500MHz, 28V |
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| MRF171 | ASI |
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N-Channel Enhancement Mode TMOS RF FET |
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| MRF171 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A |
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