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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 65 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-CRPM-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 87.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 87.5 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF164W | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| MRF166 | MOTOROLA |
获取价格 |
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
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| MRF166C | MOTOROLA |
获取价格 |
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
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| MRF166C | TE |
获取价格 |
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs |
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| MRF166C | MACOM |
获取价格 |
The RF MOSFET Line 20W, 500MHz, 28V |
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| MRF166W | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF166W | TE |
获取价格 |
TMOS BROADBAND RF POWER FET |
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| MRF166W | MACOM |
获取价格 |
The RF MOSFET Line 40W, 500MHz, 28V |
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| MRF171 | ASI |
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N-Channel Enhancement Mode TMOS RF FET |
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| MRF171 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A |
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