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MRF166W

更新时间： 2024-01-05 02:11:27

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泰科 - TE		晶体晶体管射频放大器局域网
页数	文件大小	规格书
10页	207K
描述
TMOS BROADBAND RF POWER FET

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MRF166W 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	175 W
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF166W 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF166W/D

N–Channel Enhancement–Mode MOSFET

Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages to

30 – 500 MHz.

•

Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics

Guaranteed Performance at 500 MHz, 28 Vdc

Output Power = 40 Watts

Gain = 14 dB

40 W, 500 MHz

TMOS BROADBAND

RF POWER FET

Efficiency = 50%

•

Typical Performance at 175 MHz, 28 Vdc

Output Power = 40 Watts

Gain = 17 dB

Efficiency = 60%

•

Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation

Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques

100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR

Low C

rss

— 4.0 pF @ V

= 28 Volts

CASE 412–01, Style 1

FLANGE

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

ADC

Drain–Gate Voltage

DSS

Drain–Gate Voltage (R

Gate–Source Voltage

= 1.0 MΩ)

DGR

± 20

8.0

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

175

1.0

Watts

°C/W

Derate above 25°C

Storage Temperature Range

–65 to +150

200

°C

stg

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance — Junction to Case

1.0

°C/W

θJC

NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 3

12 3 4 5 6 7...10

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与MRF166W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF171	ASI	N-Channel Enhancement Mode TMOS RF FET	获取价格
MRF171	NJSEMI	Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A	获取价格
MRF171A	TE	MOSFET BROADBAND RF POWER FET	获取价格
MRF171A	NJSEMI	Trans RF MOSFET N-CH 65V 4.5A 4-Pin Case 211-07	获取价格
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MRF172	ASI	VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格