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MRF164W

更新时间: 2024-11-05 21:17:31
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 205K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

MRF164W 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:SOURCE配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (ID):5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4元件数量:2
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:116 W
最小功率增益 (Gp):15 dB认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF164W 数据手册

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