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MRF166C

更新时间: 2024-11-19 14:55:27
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MACOM /
页数 文件大小 规格书
12页 1071K
描述
The RF MOSFET Line 20W, 500MHz, 28V

MRF166C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:CASE 319-07, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.45
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F6
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):70 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF166C 数据手册

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MRF166C  
The RF MOSFET Line  
20W, 500MHz, 28V  
Rev. V1  
Product Image  
Designed primarily for wideband largesignal output and driver from 30–  
500MHz.  
NChannel enhancement mode MOSFET  
MRF166C Guaranteed performance at 500 MHz, 28 Vdc  
Output power = 20 W  
Gain = 13.5 dB  
Efficiency = 50%  
Replacement for industry standards such as MRF136, V2820,  
BLF244, SD1902, and ST1001  
CASE 31907, STYLE 3  
100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR  
Facilitates manual gain control, ALC and modulation techniques  
Excellent thermal stability, ideally suited for Class A operation  
Low Crss 4.0 pF @ VDS = 28 V  
1
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