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MRF166C PDF预览

MRF166C

更新时间： 2024-11-19 22:45:59
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
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9页 178K
描述
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs

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MRF166C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF166C 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF166C/D  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement Mode MOSFETs  
Designed primarily for wideband large–signal output and driver from 30–500  
MHz.  
•
MRF166C — Guaranteed Performance at 500 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 20 W  
20 W, 500 MHz  
MOSFET  
Gain = 13.5 dB  
Efficiency = 50%  
BROADBAND  
RF POWER FETs  
•
Replacement for Industry Standards such as MRF136, DV2820, BLF244,  
SD1902, and ST1001  
•
•
•
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques  
Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation  
Low C  
rss  
— 4.0 pF @ V  
= 28 V  
DS  
Circuit board photomaster available upon request by  
contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
D
CASE 319–07, STYLE 3  
G
S
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Gate Voltage  
Drain–Gate Voltage  
V
DSS  
V
DGR  
65  
(R  
= 1.0 MΩ)  
GS  
Gate–Source Voltage  
V
±20  
Adc  
Adc  
GS  
Drain Current — Continuous  
I
4.0  
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate Above 25°C  
P
D
70  
0.4  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to 150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.5  
°C/W  
θJC  
NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 10  
1
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与MRF166C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF166W MOTOROLA

获取价格

 		TMOS BROADBAND RF POWER FET
MRF166W TE

获取价格

 		TMOS BROADBAND RF POWER FET
MRF166W MACOM

获取价格

 		The RF MOSFET Line 40W, 500MHz, 28V
MRF171 ASI

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode TMOS RF FET
MRF171 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A
MRF171A TE

获取价格

 		MOSFET BROADBAND RF POWER FET
MRF171A NJSEMI

获取价格

 		Trans RF MOSFET N-CH 65V 4.5A 4-Pin Case 211-07
MRF171A MACOM

获取价格

 		The RF MOSFET Line 45W, 150MHz, 28V
MRF172 ASI

获取价格

 		VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode
MRF172 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A

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