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MRF166C

更新时间： 2024-02-07 10:52:51

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泰科 - TE		晶体晶体管射频放大器局域网
页数	文件大小	规格书
9页	178K
描述
MOSFET BROADBAND RF POWER FETs

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MRF166C 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	175 W
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF166C 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF166C/D

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement Mode MOSFETs

Designed primarily for wideband large–signal output and driver from 30–500

MHz.

•

MRF166C — Guaranteed Performance at 500 MHz, 28 Vdc

Output Power = 20 W

20 W, 500 MHz

MOSFET

Gain = 13.5 dB

Efficiency = 50%

BROADBAND

RF POWER FETs

•

Replacement for Industry Standards such as MRF136, DV2820, BLF244,

SD1902, and ST1001

•

100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques

Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation

Low C

rss

— 4.0 pF @ V

= 28 V

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

CASE 319–07, STYLE 3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Gate Voltage

DSS

DGR

= 1.0 MΩ)

Gate–Source Voltage

±20

Adc

Drain Current — Continuous

4.0

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate Above 25°C

0.4

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to 150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

2.5

°C/W

θJC

NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 10

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MRF171	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A
MRF171A	TE	获取价格	MOSFET BROADBAND RF POWER FET
MRF171A	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 4.5A 4-Pin Case 211-07
MRF171A	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 45W, 150MHz, 28V
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MRF172	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 65V 4.5A