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MRF171A

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 225K
描述
MOSFET BROADBAND RF POWER FET

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MRF171A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (ID)：4.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

MRF171A 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF171A/D  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement–Mode MOSFET  
Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from  
30–200 MHz.  
45 W, 150 MHz  
•
Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 45 Watts  
MOSFET BROADBAND  
RF POWER FET  
Power Gain = 17 dB (Min)  
Efficiency = 60% (Min)  
•
•
•
•
•
Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation  
Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques  
100% Tested for Load Mismatch At All Phase Angles with 30:1 VSWR  
Low Crss – 8 pF @ V  
Gold Top Metal  
= 28 V  
DS  
D
Typical Data For Power Amplifier Applications in Industrial,  
Commercial and Amateur Radio Equipment  
•
Typical Performance at 30 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 30 Watts (PEP)  
Power Gain = 20 dB (Typ)  
CASE 211–07, STYLE 2  
G
S
Efficiency = 50% (Typ)  
IMD(d3) (30 Watts PEP) –32 dB (Typ)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Drain–Gate Voltage  
Drain–Gate Voltage (R  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
65  
GS  
V
GS  
±20  
4.5  
Drain Current — Continuous  
I
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
115  
0.66  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.52  
°C/W  
θJC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(I = 50 mA, V = 0)  
V
65  
—
—
80  
—
—
—
Vdc  
mAdc  
µAdc  
(BR)DSS  
D
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 0, V = 28 V)  
I
1.0  
1.0  
DSS  
GS  
Gate–Source Leakage Current  
(V = 20 V, V = 0)  
DS  
I
GSS  
GS DS  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 2  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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