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MMG3010NT1

更新时间： 2024-11-18 20:26:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
15页 360K
描述
0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, 4.5 X 2.5 MM, 1.5 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, CASE 1514-02, 4 PIN

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MMG3010NT1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：TO-243Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.71特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：12 dB
最大输入功率 (CW)：10 dBmJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：3最大工作频率：6000 MHz
最小工作频率：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：63 mA表面贴装：YES
技术：BIPOLAR端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

MMG3010NT1 数据手册

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Document Number: MMG3010NT1  
Rev. 5, 3/2008  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
(InGaP HBT)  
Broadband High Linearity Amplifier  
MMG3010NT1  
The MMG3010NT1 is a General Purpose Amplifier that is internally  
input and output matched. It is designed for a broad range of Class A,  
small-signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable  
for applications with frequencies from 0 to 6000 MHz such as Cellular,  
PCS, BWA, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general  
small-signal RF.  
0-6000 MHz, 15 dB  
17 dBm  
Features  
InGaP HBT  
• Frequency: 0 to 6000 MHz  
• P1dB: 17 dBm @ 900 MHz  
• Small-Signal Gain: 15 dB @ 900 MHz  
• Third Order Output Intercept Point: 31 dBm @ 900 MHz  
• Single 5 Volt Supply  
• Internally Matched to 50 Ohms  
• Low Cost SOT-89 Surface Mount Package  
• RoHS Compliant  
1
2
3
CASE 1514-02, STYLE 1  
SOT-89  
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
PLASTIC  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol 900 2140 3500 Unit  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
MHz MHz  
MHz  
V
7
300  
CC  
CC  
Small-Signal Gain  
(S21)  
G
15  
-15  
-25  
17  
14  
-17  
-25  
16.5  
30  
12  
dB  
dB  
dB  
p
Supply Current  
I
mA  
dBm  
°C  
RF Input Power  
P
10  
in  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
ORL  
P1db  
IP3  
-22  
-15  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +150  
150  
(2)  
Junction Temperature  
T
°C  
Output Return Loss  
(S22)  
J
2. For reliable operation, the junction temperature should not  
exceed 150°C.  
Power Output @1dB  
Compression  
15.5 dBm  
Third Order Output  
Intercept Point  
31  
28  
dBm  
1. V = 5 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system  
CC  
C
Table 3. Thermal Characteristics (V = 5 Vdc, I = 54 mA, T = 25°C)  
CC  
CC  
C
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
83  
°C/W  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2005-2009. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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