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MMG30301BT1

更新时间： 2024-11-21 20:50:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 电信电信集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1255K
描述
Telecom Circuit

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MMG30301BT1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOT-89, 3 PINReach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：2.22
JESD-30 代码：R-PSSO-F3长度：4.5 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSOF封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.6 mm标称供电电压：5 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：TELECOM CIRCUIT
端子形式：FLAT端子节距：1.5 mm
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：2.5 mmBase Number Matches：1

MMG30301BT1 数据手册

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Document Number: MMG30301B  
Rev. 0, 10/2016  
NXP Semiconductors  
Technical Data  
Driver or Pre--driver Amplifier  
for Doherty Power Amplifiers  
MMG30301BT1  
The MMG30301B is a 1 W high gain amplifier designed as a driver or pre--driver  
for Doherty power amplifiers in wireless infrastructure equipment operating in  
the 900 to 4300 MHz frequency range. Because of its versatile design, the  
device may also be used in a variety of general purpose amplifier applications,  
including those at frequencies from 900 to 4300 MHz.  
900–4300 MHz, 16.2 dB @ 2140 MHz  
30.1 dBm  
BTS DRIVER AMPLIFIER  
Features  
•
•
•
•
•
•
P1dB: 30.1 dBm @ 2140 MHz  
Gain: 16.2 dB @ 2140 MHz  
Designed as a Doherty PA driver or pre--driver  
5 V single supply, 258 mA current  
SOT--89 package  
SOT--89  
50 ohm operation with minimal external matching  
Table 1. Load Pull Performance (1)  
Characteristic  
Symbol  
MAG  
900 MHz  
1900 MHz  
2140 MHz  
16.9  
2600 MHz  
15.2  
3350 MHz  
13.3  
Unit  
dB  
Maximum Available Gain  
24.1  
17.9  
(2)  
(2)  
P
@ 1dB Compression  
P1dB  
30.0  
30.0  
30.1  
30.4  
30.1  
dBm  
out  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Supply Voltage  
V
6
CC  
CC  
Supply Current  
I
480  
23  
mA  
dBm  
°C  
RF Input Power  
P
in  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
stg  
–65 to +150  
175  
T
J
°C  
Table 3. Thermal Characteristics  
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
17  
°C/W  
JC  
Case Temperature 91°C, 5 Vdc, 280 mA, no RF applied  
1. V = 5 Vdc, T = 25°C, CW.  
CC  
A
2. Maximum allowable current not to exceed 480 mA.  
3. Refer to AN1955,Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.nxp.com/RF and search for AN1955.  
© 2016 NXP B.V.  
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