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MMG3014N PDF预览

MMG3014N

更新时间： 2024-09-16 21:13:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 高功率电源放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
10页 615K
描述
2110MHz - 2170MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-89, 3 PIN

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MMG3014N 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：15 dB
最大工作频率：2170 MHz最小工作频率：2110 MHz
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER最大电压驻波比：5
Base Number Matches：1

MMG3014N 数据手册

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Available at http://freescale.com/RFMMIC > Design Support  
> Reference Designs  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Rev. 0, 2/2012  
RF Power Reference Design  
MMG3014N  
LTE 750 MHz Power Amplifier Lineup  
Driving  
MRFG35010AN  
LTE  
InGaP HBT Driving GaAs pHEMT  
Amplifier Lineup Characteristics  
This reference design provides a high-gain amplifier solution, specifically  
tuned for LTE and W--CDMA base station applications occupying the 725 to  
760 MHz frequency band.  
•
•
•
•
•
•
Typical Single--Carrier LTE Performance  
GPA: VCC = 5 Vdc, ICC = 132 mAdc  
Power GaAs FET: VDD = 12 Vdc, IDQ = 180 mA, VGS = --0.82 Vdc  
Output Power: 1.0 Watts Avg.  
10 MHz Channel Bandwidth @ 10 MHz Offset  
Input Signal PAR = 10.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF,  
IQ Magnitude Clipping  
725--760 MHz, 1.0 W AVG., 12 V  
LTE AMPLIFIER LINEUP  
REFERENCE DESIGN  
G
η
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
740 MHz  
750 MHz  
760 MHz  
(dB)  
36.5  
36.4  
36.4  
(%)  
23.4  
24.1  
24.8  
9.0  
9.0  
8.9  
--40.3  
--40.4  
--40.4  
•
•
Output Capable of Handling 3:1 VSWR, @ 12 Vdc, 750 MHz,  
10 Watts CW Output Power  
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
MMG3014N/MRFG35010AN REFERENCE DESIGN  
The amplifier lineup consists of a GaAs HBT pre--driver  
document. Contact your local Freescale sales office or  
authorized Freescale distributor for additional information on  
reference design board availability for hands--on assessment  
and customization.  
and GaAs pHEMT driver amplifier, tuned for optimal gain,  
efficiency, linearity and dynamic range performance at  
1.0 Watts average output power. Performance  
characteristics of the reference design are provided in this  
V
DD  
V
V
GS  
CC  
RF  
OUTPUT  
RF  
INPUT  
MRFG35010AN  
MMG3014N  
Matching  
Input  
Matching  
Output  
Matching  
Matching  
Figure 1. Functional Block Diagram  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2012. All rights reserved.  
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