5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMG3014N
MMG3014N PDF预览

MMG3014N

更新时间： 2024-11-21 21:13:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 高功率电源放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
10页 615K
描述
2110MHz - 2170MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-89, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMG3014N 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：15 dB
最大工作频率：2170 MHz最小工作频率：2110 MHz
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER最大电压驻波比：5
Base Number Matches：1

MMG3014N 数据手册

 浏览型号MMG3014N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMG3014N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMG3014N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMG3014N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMG3014N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMG3014N的Datasheet PDF文件第7页 
Available at http://freescale.com/RFMMIC > Design Support  
> Reference Designs  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Rev. 0, 2/2012  
RF Power Reference Design  
MMG3014N  
LTE 750 MHz Power Amplifier Lineup  
Driving  
MRFG35010AN  
LTE  
InGaP HBT Driving GaAs pHEMT  
Amplifier Lineup Characteristics  
This reference design provides a high-gain amplifier solution, specifically  
tuned for LTE and W--CDMA base station applications occupying the 725 to  
760 MHz frequency band.  
•
•
•
•
•
•
Typical Single--Carrier LTE Performance  
GPA: VCC = 5 Vdc, ICC = 132 mAdc  
Power GaAs FET: VDD = 12 Vdc, IDQ = 180 mA, VGS = --0.82 Vdc  
Output Power: 1.0 Watts Avg.  
10 MHz Channel Bandwidth @ 10 MHz Offset  
Input Signal PAR = 10.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF,  
IQ Magnitude Clipping  
725--760 MHz, 1.0 W AVG., 12 V  
LTE AMPLIFIER LINEUP  
REFERENCE DESIGN  
G
η
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
740 MHz  
750 MHz  
760 MHz  
(dB)  
36.5  
36.4  
36.4  
(%)  
23.4  
24.1  
24.8  
9.0  
9.0  
8.9  
--40.3  
--40.4  
--40.4  
•
•
Output Capable of Handling 3:1 VSWR, @ 12 Vdc, 750 MHz,  
10 Watts CW Output Power  
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
MMG3014N/MRFG35010AN REFERENCE DESIGN  
The amplifier lineup consists of a GaAs HBT pre--driver  
document. Contact your local Freescale sales office or  
authorized Freescale distributor for additional information on  
reference design board availability for hands--on assessment  
and customization.  
and GaAs pHEMT driver amplifier, tuned for optimal gain,  
efficiency, linearity and dynamic range performance at  
1.0 Watts average output power. Performance  
characteristics of the reference design are provided in this  
V
DD  
V
V
GS  
CC  
RF  
OUTPUT  
RF  
INPUT  
MRFG35010AN  
MMG3014N  
Matching  
Input  
Matching  
Output  
Matching  
Matching  
Figure 1. Functional Block Diagram  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2012. All rights reserved.  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与MMG3014N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMG3014NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3014NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3015NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3015NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG30271B NXP

获取价格

 		Driver or Pre--driver General Purpose Amplifier
MMG30271BT1 NXP

获取价格

 		Driver or Pre--driver General Purpose Amplifier
MMG30301B NXP

获取价格

 		HBT GPA/LNA, 450-4000 MHz, 30 dB, 17 dBm
MMG30301BT1 NXP

获取价格

 		Telecom Circuit
MMG35CB120X6TC MACMIC

获取价格

 		IGBT 模块
MMG35CE120XB6TC MACMIC

获取价格

 		IGBT 模块

与MMG3014N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证