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MMG3011NT1

更新时间： 2024-11-18 05:49:23
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管
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15页 300K
描述
Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

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Document Number: MMG3011NT1  
Rev. 5, 3/2008  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
(InGaP HBT)  
Broadband High Linearity Amplifier  
MMG3011NT1  
The MMG3011NT1 is a General Purpose Amplifier that is internally  
input and output matched. It is designed for a broad range of Class A,  
small-signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable  
for applications with frequencies from 0 to 6000 MHz such as Cellular,  
PCS, BWA, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general  
small-signal RF.  
0-6000 MHz, 15 dB  
15 dBm  
Features  
InGaP HBT  
• Frequency: 0 to 6000 MHz  
• P1dB: 15 dBm @ 900 MHz  
• Small-Signal Gain: 15 dB @ 900 MHz  
• Third Order Output Intercept Point: 28 dBm @ 900 MHz  
• Single 5 Volt Supply  
• Internally Matched to 50 Ohms  
• Low Cost SOT-89 Surface Mount Package  
• RoHS Compliant  
1
2
3
CASE 1514-02, STYLE 1  
SOT-89  
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
PLASTIC  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol 900 2140 3500 Unit  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
MHz MHz  
MHz  
V
6
80  
CC  
CC  
Small-Signal Gain  
(S21)  
G
15  
-18  
-25  
15  
14  
12  
dB  
dB  
dB  
p
Supply Current  
I
mA  
dBm  
°C  
RF Input Power  
P
10  
in  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
ORL  
P1db  
IP3  
-25  
-25  
-17  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +150  
150  
(2)  
Junction Temperature  
T
°C  
Output Return Loss  
(S22)  
-18  
J
2. For reliable operation, the junction temperature should not  
exceed 150°C.  
Power Output @1dB  
Compression  
13.5  
26.5  
13.5 dBm  
Third Order Output  
Intercept Point  
28  
26  
dBm  
1. V = 5 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system  
CC  
C
Table 3. Thermal Characteristics (V = 5 Vdc, I = 41 mA, T = 25°C)  
CC  
CC  
C
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
83  
°C/W  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2005-2008. All rights reserved.  
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与MMG3011NT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMG3011NT1_12 FREESCALE

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 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG3012N NXP

获取价格

 		InGaP HBT GPA, 0-6000 MHz, 19 dB, 18.5 dBm
MMG3012NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3012NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3012NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG3013NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3013NT1 NXP

获取价格

 		0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
MMG3013NT1_08 FREESCALE

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 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3013NT1_12 FREESCALE

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 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG3014N NXP

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 		2110MHz - 2170MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-89, 3 PIN

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