5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMG3010NT1_08
MMG3010NT1_08 PDF预览

MMG3010NT1_08

更新时间： 2024-11-18 07:03:19
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 303K
描述
Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMG3010NT1_08 数据手册

 浏览型号MMG3010NT1_08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMG3010NT1_08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMG3010NT1_08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMG3010NT1_08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMG3010NT1_08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMG3010NT1_08的Datasheet PDF文件第7页 
Document Number: MMG3010NT1  
Rev. 5, 3/2008  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
(InGaP HBT)  
Broadband High Linearity Amplifier  
MMG3010NT1  
The MMG3010NT1 is a General Purpose Amplifier that is internally  
input and output matched. It is designed for a broad range of Class A,  
small-signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable  
for applications with frequencies from 0 to 6000 MHz such as Cellular,  
PCS, BWA, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general  
small-signal RF.  
0-6000 MHz, 15 dB  
17 dBm  
Features  
InGaP HBT  
• Frequency: 0 to 6000 MHz  
• P1dB: 17 dBm @ 900 MHz  
• Small-Signal Gain: 15 dB @ 900 MHz  
• Third Order Output Intercept Point: 31 dBm @ 900 MHz  
• Single 5 Volt Supply  
• Internally Matched to 50 Ohms  
• Low Cost SOT-89 Surface Mount Package  
• RoHS Compliant  
1
2
3
CASE 1514-02, STYLE 1  
SOT-89  
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
PLASTIC  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol 900 2140 3500 Unit  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
MHz MHz  
MHz  
V
7
300  
CC  
CC  
Small-Signal Gain  
(S21)  
G
15  
-15  
-25  
17  
14  
-17  
-25  
16.5  
30  
12  
dB  
dB  
dB  
p
Supply Current  
I
mA  
dBm  
°C  
RF Input Power  
P
10  
in  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
ORL  
P1db  
IP3  
-22  
-15  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +150  
150  
(2)  
Junction Temperature  
T
°C  
Output Return Loss  
(S22)  
J
2. For reliable operation, the junction temperature should not  
exceed 150°C.  
Power Output @1dB  
Compression  
15.5 dBm  
Third Order Output  
Intercept Point  
31  
28  
dBm  
1. V = 5 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system  
CC  
C
Table 3. Thermal Characteristics (V = 5 Vdc, I = 54 mA, T = 25°C)  
CC  
CC  
C
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
83  
°C/W  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2005-2008. All rights reserved.  
1234567...15

中文翻译

下载PDF

与MMG3010NT1_08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMG3011NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
MMG3011NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG3012N NXP

获取价格

 		InGaP HBT GPA, 0-6000 MHz, 19 dB, 18.5 dBm
MMG3012NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3012NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3012NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG3013NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3013NT1 NXP

获取价格

 		0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE
MMG3013NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3013NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor

与MMG3010NT1_08相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证