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MMDT5551-T PDF预览

MMDT5551-T

更新时间： 2024-11-15 19:39:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Transistor

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MMDT5551-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MMDT5551-T 数据手册

 浏览型号MMDT5551-T的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
MMDT5551  
Features  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
x
•
•
ꢀ
Marking:K4N  
Surface Mount SOT-363 Package  
Capable of 200mWatts of Power Dissipation  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
SOT-363  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1 mAdc, IB=0)  
160  
180  
6.0  
Vdc  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IEBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µA, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
G
Vdc  
Emitter Cutoff Current  
C
B
(VEB=4Vdc, IC=0)  
50  
nAdc  
ICBO  
Collect Cutoff Current  
(VCB=120Vdc, IE=0)  
50  
200  
nAdc  
mA  
A
H
IC  
Collector Current-Continuous  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
RꢁJA  
625  
K/W  
ON CHARACTERISTICS  
M
K
hFE  
DC Current Gain*  
J
(IC=1mAdc, VCE=5.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc)  
80  
80  
F
D
L
250  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
0.15  
1.0  
Vdc  
Vdc  
DIMENSIONS  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
INCHES  
MM  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
DIM  
A
MIN  
.004  
.045  
.079  
MAX  
.012  
.053  
.087  
MIN  
0.10  
1.15  
2.00  
MAX  
0.30  
1.35  
2.20  
NOTE  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
100  
300  
MHz  
B
Cobo  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Rg=1kohm  
C
D
F
6.0  
8.0  
pF  
.026  
0.65Nominal  
.012  
.071  
---  
.016  
.087  
.004  
.039  
.016  
.016  
0.30  
1.80  
---  
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
Noise figure  
V
CE=5.0Vdec, I =200uA, f=1.0KHz  
NF  
C
H
J
K
.035  
.010  
.004  
0.90  
0.25  
0.10  
L
M
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 3  
2007/06/26  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT5551-TP MCC

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MMDT5551-TP-HF MCC

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MMDT5N431 SWST

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