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MMDT5551-TP-HF

更新时间： 2024-01-15 13:07:56

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

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MMDT5551-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMDT5551-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMDT5551

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Plastic-Encapsulate

Transistors

•

ꢀ

Capable of 200mWatts of Power Dissipation

Ideal for Medium Power Amplification and Switching

xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć

Marking:K4N

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

SOT-363

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1 mAdc, I_B=0)

160

180

6.0

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µA, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10µAdc, I_C=0)

Vdc

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4Vdc, I_C=0)

nAdc

I_CBO

Collect Cutoff Current

(V_CB=120Vdc, I_E=0)

200

625

nAdc

I_C

R_ꢁJA

Collector Current-Continuous

Thermal Resistance, Junction to Ambient

K/W

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=1mAdc, V_CE=5.0Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=5.0Vdc)

250

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=1.0mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=1.0mAdc)

0.15

1.0

Vdc

DIMENSIONS

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

INCHES

MIN

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=10mAdc, V_CE=20Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=5.0Vdec, I_E=0, f=1.0MHz)

Rg=1kohm

DIM

MAX

.014

.053

.096

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

100

300

MHz

.006

.045

.085

C_obo

6.0

8.0

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

Noise figure

_CE=5.0Vdec, I =200uA, f=1.0KHz

---

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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