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Datasheet > 二极管 > PIN 二极管> MMBV3700LT1G
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MMBV3700LT1G

更新时间： 2024-09-20 04:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PIN二极管开关测试光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
High Voltage Silicon Pin Diodes

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MMBV3700LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.15其他特性：HIGH VOLTAGE
应用：SWITCHING最小击穿电压：200 V
配置：SINGLE最大二极管电容：1 pF
标称二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
最大二极管正向电阻：1 Ω二极管电阻测试电流：10 mA
二极管类型：PIN DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified反向测试电压：20 V
子类别：PIN Diodes表面贴装：YES
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MMBV3700LT1G 数据手册

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MMBV3700LT1, MPN3700  
High Voltage Silicon Pin  
Diodes  
These devices are designed primarily for VHF band switching  
applications but are also suitable for use in general−purpose switching  
circuits. They are supplied in a cost−effective plastic package for  
economical, high−volume consumer and industrial requirements.  
They are also available in surface mount.  
http://onsemi.com  
SOT−23  
Features  
1
Anode  
3
Cathode  
• Long Reverse Recovery Time t = 300 ns (Typ)  
• Rugged PIN Structure Coupled with Wirebond Construction for  
Optimum Reliability  
rr  
MARKING  
DIAGRAM  
• Low Series Resistance @ 100 MHz −  
R = 0.7 W (Typ) @ I = 10 mAdc  
S
F
SOT−23 (TO−236AB)  
CASE 318−08  
STYLE 8  
• Reverse Breakdown Voltage = 200 V (Min)  
• Pb−Free Packages are Available  
3
4R M G  
G
1
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Reverse Voltage  
V
P
20  
Vdc  
4R = Specific Device Code  
R
D
M
= Date Code*  
Forward Power Dissipation  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
@ T = 25°C  
MMBV3700LT1  
200  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Forward Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
MPN3700  
280  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
TO−92  
Junction Temperature  
T
+125  
°C  
°C  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55 to +150  
1
Anode  
2
Cathode  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
MARKING  
DIAGRAM  
MPN  
3700  
AYWW G  
G
TO−92 (TO−226AC)  
CASE 182−06  
STYLE 1  
1
2
MPN  
= Device Code  
3700  
A
Y
= Specific Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 3  
MMBV3700LT1/D  
1234

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MMBV3700LT1G 替代型号

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MMBV3700LT1 ONSEMI

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 High Voltage Silicon Pin Diodes
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