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MPN3700

更新时间： 2024-11-07 22:29:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关测试高压
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
High Voltage Silicon Pin Diodes

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MPN3700 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.25其他特性：HIGH VOLTAGE
应用：SWITCHING最小击穿电压：200 V
配置：SINGLE最大二极管电容：1 pF
标称二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
最大二极管正向电阻：1 Ω二极管电阻测试电流：10 mA
二极管类型：PIN DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
最大功率耗散：0.28 W认证状态：Not Qualified
反向测试电压：20 V子类别：PIN Diodes
表面贴装：NO技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MPN3700 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBV3700LT1  
MPN3700  
High Voltage Silicon Pin Diodes  
These devices are designed primarily for VHF band switching  
applications but are also suitable for use in general–purpose switching  
circuits. They are supplied in a cost–effective plastic package for  
economical, high–volume consumer and industrial requirements.  
They are also available in surface mount.  
3
1
2
• Long Reverse Recovery Time t = 300 ns (Typ)  
rr  
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
• Rugged PIN Structure Coupled with Wirebond Construction for  
Optimum Reliability  
3
Cathode  
1
Anode  
• Low Series Resistance @ 100 MHz – R = 0.7 Ohms (Typ) @  
I = 10 mAdc  
F
• Reverse Breakdown Voltage = 200 V (Min)  
S
SOT–23  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
MPN3700  
MMBV3700LT1  
200  
Unit  
Reverse Voltage  
V
P
Vdc  
R
1
Total Power Dissipation  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
D
2
280  
2.8  
200  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 182–06, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
+125  
–55 to +150  
°C  
°C  
J
2
Cathode  
1
Anode  
T
stg  
TO–92  
DEVICE MARKING  
MMBV3700LT1 = 4R  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc)  
R
V
200  
–
–
Vdc  
(BR)R  
Diode Capacitance  
(V = 20 Vdc, f = 1.0 MHz)  
R
C
R
–
–
–
–
–
0.7  
–
1.0  
1.0  
0.1  
–
pF  
Ω
T
Series Resistance (Figure 5)  
(I = 10 mAdc)  
F
S
Reverse Leakage Current  
(V = 150 Vdc)  
R
I
R
µAdc  
ns  
Reverse Recovery Time  
t
rr  
300  
(I = I = 10 mAdc)  
F
R
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 2  
MMBV3700LT1D  
12345678

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MPN3700 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN
MPN3700G ONSEMI

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 		High Voltage Silicon Pin Diodes
MPN3700RL ONSEMI

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 		200V, SILICON, PIN DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN
MPN3700RL1 MOTOROLA

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 		Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN
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