生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.76 |
其他特性: | HIGH Q | 最小击穿电压: | 20 V |
配置: | SINGLE | 最小二极管电容比: | 1.5 |
标称二极管电容: | 29 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带: | VERY HIGH FREQUENCY |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.28 W | 认证状态: | Not Qualified |
最小质量因数: | 200 | 最大反向电流: | 0.1 µA |
反向测试电压: | 15 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
变容二极管分类: | HYPERABRUPT | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBV432 | LRC |
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MMBV432LT1 | LRC |
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MMBV432LT1 | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode | |
MMBV432LT1_06 | ONSEMI |
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MMBV432LT1G | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode | |
MMBV609 | LRC |
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Silicon Tuning Diode | |
MMBV609LT1 | ONSEMI |
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MMBV609LT1 | LRC |
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MMBV609LT1 | MOTOROLA |
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UHF BAND, 20V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 31 | |
MMBV609LT1_06 | ONSEMI |
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