是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最小击穿电压: | 20 V | 配置: | SINGLE |
二极管电容容差: | 15.09% | 最小二极管电容比: | 1.8 |
标称二极管电容: | 5.3 pF | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.225 W | 认证状态: | COMMERCIAL |
最小质量因数: | 75 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
变容二极管分类: | HYPERABRUPT | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBV809LT3 | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode |
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MMBV809LT3G | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode |
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MMBZ10CA | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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MMBZ10CA-AH | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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MMBZ10VA | WEITRON |
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SMALL SIGNAL ZENER DIODES 300m WATTS 3-26 VOLTS |
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MMBZ10VAL | DIODES |
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24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS |
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MMBZ10VAL | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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MMBZ10VAL | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
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MMBZ10VAL,215 | NXP |
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MMBZxAL series - Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes TO-236 3-Pin |
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MMBZ10VAL-7 | DIODES |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, PLAS |
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