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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 7.97 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大击穿电压： | 10.5 V |
| 最小击穿电压： | 9.5 V | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 24 W | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压： | 6.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBZ10VALT1G | ONSEMI |
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DIODE 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, LEAD FREE, PLASTIC, C |
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| MMBZ10VALT3G | ONSEMI |
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24W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318 |
|
| MMBZ10VALY | ROHM |
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MMBZ10VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。 |
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| MMBZ10VALYFH | ROHM |
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MMBZ10VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。 |
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| MMBZ10VALYT116 | ROHM |
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Transient Suppressor, |
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| MMBZ10VA-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
|
| MMBZ10VAT-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
|
| MMBZ12CA | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
|
| MMBZ12CA-AH | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
|
| MMBZ12VA | WEITRON |
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SMALL SIGNAL ZENER DIODES 300m WATTS 3-26 VOLTS |
|
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