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MMBZ10VALY

更新时间： 2024-09-26 11:15:55

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		电子瞬态抑制二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1277K
描述
MMBZ10VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。

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MMBZ10VALY 数据手册

MMBZ10VALY

ꢀ Transient Voltage Suppressor

Data sheet

●Outline

ꢀ

6.5

RWM

1.70

ꢀ ꢀ ꢀ

●Feature

●Inner Circuit

High reliability

Small mold type

●Application

●Packaging Specification

Packing

ESD Protection

Embossed Tape

Reel Size(mm)

TapingWidth(mm)

Quantity(pcs)

180

3000

T116

D1T

TapingCode

●Structure

Silicon Epitaxial Planar

Marking

ꢀ

(T = 25℃)

●Absolute Maximum Rating

Min. Max.

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

tp＝10/1000us

PP1

MMBZ5V6ALY ～MMBZ10VALY

tp＝10/1000us

MMBZ12VALY ～MMBZ36VALY

Peak Pulse Power

PP2

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

stg

-65 150

℃

On Glasss-epoxy substrate

OnAlumina substrate

225 mW

300 mW

Power dissipation

Air

Contact

IEC61000-4-2

level4

Machine model

ESD

ESD capability*

Human body model

MIL-STD-883 level3

CDM （Charged device model)

*IEC61000-4-2

500

C=150pFR=330Ω

Machine model

C=200pFR=0Ω

Human bodymodel

C=100pFR=1.5kΩ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

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2020/05/19_Rev.002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBZ10VALYFH	ROHM	获取价格	MMBZ10VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。
MMBZ10VALYT116	ROHM	获取价格	Transient Suppressor,
MMBZ10VA-T	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction
MMBZ10VAT-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction
MMBZ12CA	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
MMBZ12CA-AH	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
MMBZ12VA	WEITRON	获取价格	SMALL SIGNAL ZENER DIODES 300m WATTS 3-26 VOLTS
MMBZ12VAL	ONSEMI	获取价格	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
MMBZ12VAL	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MMBZ12VAL	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction