是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压: | 10.5 V | 最小击穿电压: | 9.5 V |
击穿电压标称值: | 10 V | 最大钳位电压: | 14.2 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 24 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.225 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 6.5 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ10VALT1 | ONSEMI |
获取价格 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
![]() |
MMBZ10VALT116 | ROHM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, |
![]() |
MMBZ10VALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
DIODE 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, LEAD FREE, PLASTIC, C |
![]() |
MMBZ10VALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
24W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318 |
![]() |
MMBZ10VALY | ROHM |
获取价格 |
MMBZ10VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 |
![]() |
MMBZ10VALYFH | ROHM |
获取价格 |
MMBZ10VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 |
![]() |
MMBZ10VALYT116 | ROHM |
获取价格 |
Transient Suppressor, |
![]() |
MMBZ10VA-T | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
![]() |
MMBZ10VAT-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
![]() |
MMBZ12CA | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
![]() |