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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 15.09% | 最小二极管电容比： | 1.8 |
| 标称二极管电容： | 5.3 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.225 W | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 最小质量因数： | 75 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 变容二极管分类： | HYPERABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBV809LT1_06 | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode |
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| MMBV809LT1G | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode |
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| MMBV809LT1G | ROCHESTER |
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UHF BAND, 5.3 pF, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, LEAD FR |
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| MMBV809LT3 | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode |
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| MMBV809LT3G | ONSEMI |
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Silicon Tuning Diode |
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| MMBZ10CA | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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| MMBZ10CA-AH | SWST |
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瞬态电压抑制管 |
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| MMBZ10VA | WEITRON |
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SMALL SIGNAL ZENER DIODES 300m WATTS 3-26 VOLTS |
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| MMBZ10VAL | DIODES |
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24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS |
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| MMBZ10VAL | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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