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MMBV609 PDF预览

MMBV609

更新时间： 2024-02-02 01:25:19
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
Silicon Tuning Diode

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MMBV609 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.8最小击穿电压：20 V
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管电容容差：10.34%
最小二极管电容比：1.8标称二极管电容：29 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：ULTRA HIGH FREQUENCYJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最小质量因数：250最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Varactors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
变容二极管分类：HYPERABRUPTBase Number Matches：1

MMBV609 数据手册

 浏览型号MMBV609的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Silicon Tuning Diode  
This device is designed for FM tuning, general frequency control and  
tuning, or any top–of–the–line application requiring back–to–back diode  
configuration for minimum signal distortion and detuning. This device is  
supplied in the SOT–23 plastic package for high volume, pick and place  
assembly requirements.  
MMBV609LT1  
DUAL  
VOLTAGE VARIABLE  
CAPACITANCE DIODE  
•
•
•
•
•
•
•
High Figure of Merit — Q = 450 (Typ) @ V R = 3.0 Vdc, f = 50 MHz  
Guaranteed Capacitance Range  
Dual Diodes – Save Space and Reduce Cost  
Surface Mount Package  
3
Available in 8 mm Tape and Reel  
Monolithic Chip Provides Improved Matching  
Hyper Abrupt Junction Process Provides High Tuning Ratio  
1
2
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT– 23 (TO–236AB)  
2
3
1
MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Reverse Voltage  
V
Vdc  
mAdc  
mW  
R
Forward Current  
I F  
100  
Device Dissipation @T A = 25°C  
Derate above 25°C  
P D  
225  
1.8  
mW/°C  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T J  
+125  
T stg  
–55 to +150  
°C  
DEVICE MARKING  
MMBV609LT1=5L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T =25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage  
(IR=10µAdc)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V (BR)R  
20  
—
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR=15Vdc)  
I R  
C T  
C R  
Q
—
26  
—
—
10  
32  
2.4  
—
nAdc  
pF  
Diode Capacitance  
(VR=3.0 Vdc,f=1.0MHz)  
Capacitance Ratio C3/C8  
(f=1.0MHz)  
1.8  
250  
—
—
Figure of Merit  
450  
—
(VR=3.0 Vdc, f=50MHz)  
MMBV609LT1–1/2  
12

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