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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.06 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5551LT1 | ONSEMI |
完全替代  |
High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
|
| SMMBT5551LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors |
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| MMBT5551LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5551LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
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| MMBT5551L-X-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT5551L-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT5551M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN High Voltage Transistor |
|
| MMBT5551Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 160V, 0.6A, SOT23 |
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| MMBT5551Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
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| MMBT5551S | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT5551T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 |
|
| MMBT5551-TP | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulate Transistor |
|
| MMBT5551-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
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