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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 255 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT4403WT1G | ONSEMI |
类似代替  |
Switching Transistor PNP Silicon |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT4403WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Switching Transistor PNP Silicon |
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| MMBT4413DW | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT4416 | ANALOGICTECH |
获取价格 |
N-Channel RF Amplifiers |
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| MMBT451 | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 |
|
| MMBT451-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 |
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| MMBT4888 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,TO-236 |
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| MMBT4888 | TI |
获取价格 |
MMBT4888 |
|
| MMBT4889 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,TO-236 |
|
| MMBT4889 | TI |
获取价格 |
MMBT4889 |
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| MMBT489 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
30V,1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
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