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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.2 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.71 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSS30101LT1G | ONSEMI |
类似代替  |
30 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor |
|
| FMMT489TA | DIODES |
功能相似 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| MMBT489LT1 | ONSEMI |
功能相似 |
High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT491 | SECOS |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| MMBT491 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| MMBT4917 | TI |
获取价格 |
MMBT4917 |
|
| MMBT491A | SEMTECH |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
|
| MMBT491A | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| MMBT493 | SECOS |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| MMBT495 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| MMBT4992 | ETC |
获取价格 |
Silicon Bidirectional Switch (SBS) |
|
| MMBT5086 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (LOW NOISE TRANSISTOR) |
|
| MMBT5086 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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