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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT489TA
FMMT489TA PDF预览

FMMT489TA

更新时间： 2024-11-14 12:29:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMT489TA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.02Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

FMMT489TA 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FMMT489  
ISSUE3 - OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
Very low equivalent on-resistance; RCE(sat) 175mΩ at 1A  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT589  
489  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
50  
Collector-Emitter Voltage  
30  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
1
4
A
ICM  
A
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
= 25°C).  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
VCEO(sus)  
V(BR)EBO  
ICBO  
50  
30  
5
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=30V  
VCES=30V  
VEB=4V  
V
V
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
ICES  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.3  
0.6  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
1.0  
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
100  
60  
IC=1mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
IC=2A, VCE=2V*  
IC=4A, VCE=2V*  
300  
10  
20  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical characteristics graphs see FMMT449 datasheet  
3 - 114  
1

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FMMT489TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT491ATC DIODES

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 40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
FMMT491ATA DIODES

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FMMT449TA DIODES

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 SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT489TC DIODES

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